Field Effect Transistor

WO2011158888 Art A1 22. Dezember 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011158888
Aktenzeichen: EP11795790
Anmeldetag: 9. Juni 2011
Veröffentlichung: 22. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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