Non-volatile memory device including a charge trapping layer in a nano pattern, and a method for fabricating the same

WO2011159001 Art A1 22. Dezember 2011

Anmelder: Korea University Research and Business Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011159001
Aktenzeichen: EP10853302
Anmeldetag: 24. November 2010
Veröffentlichung: 22. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea University Research and Business Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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