Isolation between nonvolatile memory cells by means of low- dielectric- constant dielectrics and air gaps and corresponding manufacturing method

WO2011160011 Art A1 22. Dezember 2011

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011160011
Aktenzeichen: EP11736481
Anmeldetag: 17. Juni 2011
Veröffentlichung: 22. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/8247H01L27/115H01L21/764

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von