Strained-channel field-effect transistor and manufacturing method thereof
WO2011160477
Art A1
29. Dezember 2011
Anmelder: Peking University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011160477
- Aktenzeichen
- EP11797508
- Anmeldetag
- 23. März 2011
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Peking University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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