Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2011161748
Art A1
29. Dezember 2011
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011161748
- Aktenzeichen
- EP10853608
- Anmeldetag
- 21. Juni 2010
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/822H01L21/8222H01L27/04H01L27/06H01L29/47H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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