Semiconductor device

WO2011161759 Art A1 29. Dezember 2011

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011161759
Aktenzeichen: EP10853619
Anmeldetag: 22. Juni 2010
Veröffentlichung: 29. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H04B1/04H03F1/02H03F3/24H03G3/20H04B1/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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