Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2011161795 Art A1 29. Dezember 2011

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011161795
Aktenzeichen: EP10853655
Anmeldetag: 24. Juni 2010
Veröffentlichung: 29. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8249H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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