Method for forming polycrystalline silicon thin film, polycrystalline silicon thin film substrate, silicon thin film solar cell, and silicon thin film transistor device

WO2011161901 Art A1 29. Dezember 2011

Anmelder: Panasonic Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011161901
Aktenzeichen: EP11797790
Anmeldetag: 15. Juni 2011
Veröffentlichung: 29. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/336H01L29/786H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Panasonic Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

55.004 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von