Plasma doping device, plasma doping method, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element

WO2011161965 Art A1 29. Dezember 2011

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011161965
Aktenzeichen: EP11797853
Anmeldetag: 23. Juni 2011
Veröffentlichung: 29. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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