Epitaxial growth substrate, semiconductor device, and epitaxial growth method
WO2011161975
Art A1
29. Dezember 2011
Anmelder: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011161975
- Aktenzeichen
- EP11797863
- Anmeldetag
- 24. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C30B25/18H01L21/338H01L29/778H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
DOWA Electronics Materials
DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.
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