Impurities diffusion layer forming composition, n-type diffusion layer forming composition, method for manufacturing n-type diffusion layer, p-type diffusion layer forming composition, method for manufacturing p-type diffusion layer, and method for manufacturing solar cell elements
WO2011162394
Art A1
29. Dezember 2011
Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011162394
- Aktenzeichen
- EP11798275
- Anmeldetag
- 24. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/225C03C8/18H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Company, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
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Vertreten von
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