High-density p-doped quantum dot solar cell obtained by the active doping of inp and a production method therefor

WO2011162433 Art A1 29. Dezember 2011

Anmelder: Korea Research Institute of Standards and Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011162433
Aktenzeichen: EP10853716
Anmeldetag: 2. Juli 2010
Veröffentlichung: 29. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/042

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Research Institute of Standards and Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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