Gated iii-v semiconductor structure and method

WO2011163318 Art A2 29. Dezember 2011

Anmelder: Cornell University, Shealy, James R., Brown, Richard 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011163318
Aktenzeichen: EP11798812
Anmeldetag: 22. Juni 2011
Veröffentlichung: 29. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Cornell University
Shealy, James R.
Brown, Richard
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cornell University

Die Cornell University ist eine private Universität in Ithaca, New York (USA), die in Forschung und Lehre über zahlreiche natur- und ingenieurwissenschaftliche Fachrichtungen aktiv ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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