Semiconductor structure having high germanium strain layer formed on insulating substrate and manufacturing method thereof

WO2012000284 Art A1 5. Januar 2012

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012000284
Aktenzeichen: EP10853987
Anmeldetag: 29. November 2010
Veröffentlichung: 5. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/76H01L27/12H01L31/0232

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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