Method for manufacturing semiconductor device

WO2012001848 Art A1 5. Januar 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012001848
Aktenzeichen: EP11800327
Anmeldetag: 4. April 2011
Veröffentlichung: 5. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L21/312H01L21/768H01L23/52H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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