Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2012002104 Art A1 5. Januar 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012002104
Aktenzeichen: EP11800572
Anmeldetag: 30. Mai 2011
Veröffentlichung: 5. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L21/3065H01L21/3205H01L23/52H01L29/417H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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