Trap device and substrate processing device

WO2012002191 Art A1 5. Januar 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012002191
Aktenzeichen: EP11800656
Anmeldetag: 20. Juni 2011
Veröffentlichung: 5. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31B01D8/00C23C14/54H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von