Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2012002514
Art A1
5. Januar 2012
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012002514
- Aktenzeichen
- EP11800976
- Anmeldetag
- 30. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01C19/56G01P15/125H01L21/8249H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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