Normally-Off Iii-Nitride Metal-2DEG Tunnel Junction Field-Effect Transistors

WO2012003609 Art A1 12. Januar 2012

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012003609
Aktenzeichen: EP10854269
Anmeldetag: 8. September 2010
Veröffentlichung: 12. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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