Magnetoresistive effect element and random access memory using same
WO2012004883
Art A1
12. Januar 2012
Anmelder: Tohoku University, Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012004883
- Aktenzeichen
- EP10854437
- Anmeldetag
- 9. Juli 2010
- Veröffentlichung
- 12. Januar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tohoku University
Hitachi, Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.158 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
21.149 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.