Thin-film transistor substrate, production method for same, and liquid crystal display panel

WO2012004958 Art A1 12. Januar 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012004958
Aktenzeichen: EP11803298
Anmeldetag: 1. Juli 2011
Veröffentlichung: 12. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G02F1/1368G09F9/30H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von