Composition for forming impurity diffusion layer, process for producing impurity diffusion layer, and process for producing solar cell element

WO2012005253 Art A1 12. Januar 2012

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012005253
Aktenzeichen
EP11803587
Anmeldetag
5. Juli 2011
Veröffentlichung
12. Januar 2012
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/225C03C8/18H01L31/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen