Semiconductor substrate etching method and production method for capacitive mems sensor

WO2012005292 Art A1 12. Januar 2012

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012005292
Aktenzeichen: EP11803626
Anmeldetag: 6. Juli 2011
Veröffentlichung: 12. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G01C19/56B81C1/00H01L21/3065H01L29/78H01L29/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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