Semiconductor device

WO2012005352 Art A1 12. Januar 2012

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012005352
Aktenzeichen: EP11803686
Anmeldetag: 8. Juli 2011
Veröffentlichung: 12. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L21/3205H01L21/60H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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