Thyristor random access memory device and method

WO2012006094 Art A2 12. Januar 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012006094
Aktenzeichen: EP11804132
Anmeldetag: 28. Juni 2011
Veröffentlichung: 12. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105H01L27/108H01L21/8239H01L21/332

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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