Method for manufacturing a high efficiency solar cell by directional doping

WO2012006354 Art A1 12. Januar 2012

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012006354
Aktenzeichen: EP11743396
Anmeldetag: 6. Juli 2011
Veröffentlichung: 12. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0224H01L31/0236H01L31/0352H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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