Si-ge-si semiconductor structure with two graded junctions and fabrication method thereof

WO2012006859 Art A1 19. Januar 2012

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012006859
Aktenzeichen: EP10854650
Anmeldetag: 31. Dezember 2010
Veröffentlichung: 19. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/24H01L29/78H01L21/205H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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