High consistency resistive memory and manufacturing method thereof

WO2012006869 Art A1 19. Januar 2012

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012006869
Aktenzeichen: EP11806211
Anmeldetag: 14. Juli 2011
Veröffentlichung: 19. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/24H01L27/10H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

581 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von