Temporary substrate, processing method and production method

WO2012007435 Art A1 19. Januar 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012007435
Aktenzeichen: EP11730334
Anmeldetag: 11. Juli 2011
Veröffentlichung: 19. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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