Metallization processes, mixtures, and electronic devices

WO2012007865 Art A2 19. Januar 2012

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012007865
Aktenzeichen: EP11806372
Anmeldetag: 1. Juli 2011
Veröffentlichung: 19. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/288

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von