Interlayer insulating layer formation method and semiconductor device

WO2012011480 Art A1 26. Januar 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012011480
Aktenzeichen: EP11809650
Anmeldetag: 20. Juli 2011
Veröffentlichung: 26. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318C23C16/455C23C16/511H01L21/31H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von