Polycrystalline silicon ingot manufacturing apparatus, polycrystalline silicon ingot manufacturing method, and polycrystalline silicon ingot
WO2012011523
Art A1
26. Januar 2012
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012011523
- Aktenzeichen
- EP11809693
- Anmeldetag
- 21. Juli 2011
- Veröffentlichung
- 26. Januar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/02C30B28/06C30B29/06H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Materials Corporation
Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
1.978 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.