Semiconductor device

WO2012011536 Art A1 26. Januar 2012

Anmelder: Fuji Electric Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012011536
Aktenzeichen: EP11809706
Anmeldetag: 21. Juli 2011
Veröffentlichung: 26. Januar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/04H01L21/822H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fuji Electric Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von