Low-resistance and high-efficiency spin injection element using thin film of rock salt structure as seed

WO2012014415 Art A1 2. Februar 2012

Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012014415
Aktenzeichen: EP11812017
Anmeldetag: 22. Juli 2011
Veröffentlichung: 2. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/82G11B5/39H01L21/8246H01L27/105H01L43/08H01L43/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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