Oxide semiconductor device
WO2012014628
Art A1
2. Februar 2012
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012014628
- Aktenzeichen
- EP11812221
- Anmeldetag
- 1. Juli 2011
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/363H01L51/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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