Method for forming strained semiconductor channel and semiconductor device

WO2012016361 Art A1 9. Februar 2012

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012016361
Aktenzeichen: EP10855499
Anmeldetag: 19. September 2010
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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