Electronic circuit and method for state retention power gating

WO2012017269 Art A1 9. Februar 2012

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012017269
Aktenzeichen: EP10855561
Anmeldetag: 5. August 2010
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G06F1/26G06F1/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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