Method for producing sputtering target, and sputtering target

WO2012017659 Art A1 9. Februar 2012

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012017659
Aktenzeichen: EP11814294
Anmeldetag: 4. August 2011
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/00C04B35/453

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Materials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von