Semiconductor device, method for manufacturing same, and nonvolatile semiconductor memory device
WO2012017746
Art A1
9. Februar 2012
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012017746
- Aktenzeichen
- EP11814376
- Anmeldetag
- 20. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 9. Februar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8249H01L21/331H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8244H01L21/8247H01L27/06H01L27/088H01L27/092H01L27/11H01L27/115H01L29/66H01L29/732H01L29/78H01L29/786H01L29/788H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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