Gas field ionization ion source and method for using same, ion beam device, and emitter chip and method for manufacturing same

WO2012017789 Art A1 9. Februar 2012

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012017789
Aktenzeichen: EP11814419
Anmeldetag: 13. Juli 2011
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01J27/26H01J9/02H01J37/08H01J37/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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