Composition for forming resist underlayer film and method for forming resist pattern using same

WO2012017790 Art A1 9. Februar 2012

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012017790
Aktenzeichen: EP11814420
Anmeldetag: 13. Juli 2011
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08F220/10C08F220/34H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von