Manufacturing method of microcrystalline silicon film and manufacturing method of thin film transistor

WO2012017875 Art A1 9. Februar 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd., Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012017875
Aktenzeichen: EP11814503
Anmeldetag: 20. Juli 2011
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/205H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von