Substrate processing method and substrate processing device

WO2012018010 Art A1 9. Februar 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012018010
Aktenzeichen: EP11814635
Anmeldetag: 2. August 2011
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/28H01L21/336H01L21/8247H01L27/115H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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