Parasitic Plasma Prevention in Plasma Processing Chambers

WO2012018368 Art A2 9. Februar 2012

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012018368
Aktenzeichen: EP11814889
Anmeldetag: 18. Juli 2011
Veröffentlichung: 9. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/24H01L21/205H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von