Radio frequency (rf) power filters and plasma processing systems including rf power filters
WO2012018670
Art A2
9. Februar 2012
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012018670
- Aktenzeichen
- EP11815102
- Anmeldetag
- 28. Juli 2011
- Veröffentlichung
- 9. Februar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01P1/20H01P1/203
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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