Manufacturing method for semi-conductor device
WO2012020498
Art A1
16. Februar 2012
Anmelder: Fuji Electric Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012020498
- Aktenzeichen
- EP10855899
- Anmeldetag
- 12. August 2010
- Veröffentlichung
- 16. Februar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/02H01L29/739H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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