Method for forming a three-dimensional memory array using imprint lithography, mask therefor, and memory device obtained thereby

WO2012021433 Art A1 16. Februar 2012

Anmelder: SanDisk 3D, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012021433
Aktenzeichen: EP11749289
Anmeldetag: 8. August 2011
Veröffentlichung: 16. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/102H01L29/861G03F7/00H01L21/033H01L21/329H01L27/06H01L27/24H01L21/308H01L21/311H01L21/3213H01L21/768B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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