Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2012023350
Art A1
23. Februar 2012
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012023350
- Aktenzeichen
- EP11817997
- Anmeldetag
- 1. Juli 2011
- Veröffentlichung
- 23. Februar 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/47H01L29/41H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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