Variable Resistance Memory Array Architecture

WO2012024079 Art A2 23. Februar 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012024079
Aktenzeichen: EP11818539
Anmeldetag: 2. August 2011
Veröffentlichung: 23. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00G11C16/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von