Method for high aspect ratio patterning in spin-on layer

WO2012024178 Art A2 23. Februar 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012024178
Aktenzeichen: EP11757443
Anmeldetag: 12. August 2011
Veröffentlichung: 23. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/00G03F7/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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